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IRF100P219XKMA1

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Artikelnummer
IRF100P219XKMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
TRENCHMOSFETS
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRF100P219XKMA1.pdf
Gesamt:$8.08000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$8.08000

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Artikelnummer
IRF100P219XKMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
TRENCHMOSFETS
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.8V @ 278µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
270nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
12020pF @ 50V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
341W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247AC
Paket / fall
TO-247-3

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