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SQJQ402E-T1_GE3

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Artikelnummer
SQJQ402E-T1_GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SQJQ402E-T1_GE3.pdf
Gesamt:$1.16228
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Artikelnummer
SQJQ402E-T1_GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
200A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
260nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
13500pF @ 20V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® 8 x 8
Paket / fall
PowerPAK® 8 x 8 Single

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