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SIHP14N50D-GE3

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Artikelnummer
SIHP14N50D-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 14A TO-200AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SIHP14N50D-GE3.pdf
Gesamt:$1.51525
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(In US-Dollar)
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$1.51525

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Artikelnummer
SIHP14N50D-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 14A TO-200AB
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
14A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
58nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1144pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
208W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Paket / fall
TO-220-3

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