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TPN2R203NC,L1Q

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Artikelnummer
TPN2R203NC,L1Q
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$0.44380
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(In US-Dollar)
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$0.44380

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Artikelnummer
TPN2R203NC,L1Q
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
45A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2 mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.3V @ 500µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2230pF @ 15V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
700mW (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paket / fall
8-PowerVDFN

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