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DMTH6010SCT

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Artikelnummer
DMTH6010SCT
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET BVDSS 41V 60VTO220-3TU
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMTH6010SCT.pdf
Gesamt:$1.82000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$1.82000

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Artikelnummer
DMTH6010SCT
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET BVDSS 41V 60VTO220-3TU
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
36.3nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1940pF @ 30V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.8W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Paket / fall
TO-220-3

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