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SI7431DP-T1-GE3

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Artikelnummer
SI7431DP-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SI7431DP-T1-GE3.pdf
Gesamt:$2.29761
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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$2.29761

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Artikelnummer
SI7431DP-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
Teilestatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
2.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
174 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
135nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
-
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.9W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8
Paket / fall
PowerPAK® SO-8

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