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SI8401DB-T1-E3

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Artikelnummer
SI8401DB-T1-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SI8401DB-T1-E3.pdf
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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$1.17290

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Artikelnummer
SI8401DB-T1-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP
Teilestatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
3.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
-
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.47W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
4-Microfoot
Paket / fall
4-XFBGA, CSPBGA

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