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IRF8010PBF

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Artikelnummer
IRF8010PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRF8010PBF.pdf
Gesamt:$2.30000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$2.30000

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Artikelnummer
IRF8010PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15 mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
3830pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
260W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Paket / fall
TO-220-3

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