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NGTD13T65F2WP

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Artikelnummer
NGTD13T65F2WP
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$1.76684
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$1.76684

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Artikelnummer
NGTD13T65F2WP
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Teilestatus
Active
IGBT-Typ
Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)
650V
Stromabnehmer (Ic) (max.)
-
Strom - Kollektor gepulst (Icm)
120A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 30A
Leistung max
-
Energie wechseln
-
Eingabetyp
Standard
Gate Charge
-
Td (ein / aus) bei 25 ° C
-
Testbedingung
-
Reverse Recovery Time (trr)
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
Die
Supplier Device Package
Die

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