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UG58GHB0G

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Artikelnummer
UG58GHB0G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 5A DO201AD
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
UG58GHB0G.pdf
Gesamt:$0.17825
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(In US-Dollar)
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$0.17825

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Artikelnummer
UG58GHB0G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 5A DO201AD
Teilestatus
Active
Diodentyp
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
5A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
2.1V @ 5A
Geschwindigkeit
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
20ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
30µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F
-
Befestigungsart
Through Hole
Paket / fall
DO-201AD, Axial
Supplier Device Package
DO-201AD
Betriebstemperatur - Übergang
-55°C ~ 150°C

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