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IPN50R950CEATMA1

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Artikelnummer
IPN50R950CEATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
CONSUMER
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPN50R950CEATMA1.pdf
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$0.22266

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Artikelnummer
IPN50R950CEATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
CONSUMER
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
6.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
950 mOhm @ 1.2A, 13V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
10.5nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
231pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
5W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-SOT223
Paket / fall
TO-261-3

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