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IXFR32N100P

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Artikelnummer
IXFR32N100P
Hersteller
IXYS Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IXFR32N100P.pdf
Gesamt:$15.63267
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$15.63267

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Artikelnummer
IXFR32N100P
Hersteller
IXYS Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
340 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
225nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
14200pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
320W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
ISOPLUS247™
Paket / fall
ISOPLUS247™

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