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TSM80N950CI C0G

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Artikelnummer
TSM80N950CI C0G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 800V 6A ITO220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
TSM80N950CI C0G.pdf
Gesamt:$2.05000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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$2.05000

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Artikelnummer
TSM80N950CI C0G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 800V 6A ITO220
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
950 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
19.6nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
691pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
25W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
ITO-220AB
Paket / fall
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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