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IPI070N06N G

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Artikelnummer
IPI070N06N G
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPI070N06N G.pdf
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Artikelnummer
IPI070N06N G
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Teilestatus
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 180µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
118nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
4100pF @ 30V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
250W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO262-3
Paket / fall
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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