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FDB13AN06A0

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Artikelnummer
FDB13AN06A0
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FDB13AN06A0.pdf
Gesamt:$1.15820
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Artikelnummer
FDB13AN06A0
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
10.9A (Ta), 62A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13.5 mOhm @ 62A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1350pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
115W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
D²PAK
Paket / fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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