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NTD4979N-35G

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Artikelnummer
NTD4979N-35G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 9.4A IPAK TRIMME
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
NTD4979N-35G.pdf
Gesamt:$0.26180
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Artikelnummer
NTD4979N-35G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 9.4A IPAK TRIMME
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
9.4A (Ta), 41A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
16.5nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
837pF @ 15V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.38W (Ta), 26.3W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
I-PAK
Paket / fall
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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