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1N4448,143

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Artikelnummer
1N4448,143
Hersteller
NXP Semiconductors
Beschreibung
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
1N4448,143.pdf
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Artikelnummer
1N4448,143
Hersteller
NXP Semiconductors
Beschreibung
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
Teilestatus
Obsolete
Diodentyp
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
200mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1V @ 100mA
Geschwindigkeit
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)
4ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
25nA @ 20V
Kapazität @ Vr, F
4pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart
Through Hole
Paket / fall
DO-204AH, DO-35, Axial
Supplier Device Package
ALF2
Betriebstemperatur - Übergang
200°C (Max)

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