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EDB5432BEPA-1DAAT-F-D

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Artikelnummer
EDB5432BEPA-1DAAT-F-D
Hersteller
Micron Technology
Beschreibung
IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
EDB5432BEPA-1DAAT-F-D.pdf
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Artikelnummer
EDB5432BEPA-1DAAT-F-D
Hersteller
Micron Technology
Beschreibung
IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA
Teilestatus
Last Time Buy
Speichertyp
Volatile
Speicherformat
DRAM
Technologie
SDRAM - Mobile LPDDR2
Speichergröße
512Mb (16M x 32)
Taktfrequenz
533MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
-
Zugriffszeit
-
Speicherschnittstelle
Parallel
Spannungsversorgung
1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur
-40°C ~ 105°C (TC)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
168-WFBGA
Supplier Device Package
168-WFBGA (12x12)

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