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APTC80H15T1G

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Artikelnummer
APTC80H15T1G
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$43.89570
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$43.89570

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Artikelnummer
APTC80H15T1G
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1
Teilestatus
Active
FET-Typ
4 N-Channel (H-Bridge)
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.9V @ 2mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
4507pF @ 25V
Leistung max
277W
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Chassis Mount
Paket / fall
SP1
Supplier Device Package
SP1

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