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FDMD84100

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Artikelnummer
FDMD84100
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 100V 7A 8-PQFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FDMD84100.pdf
Gesamt:$1.46300
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$1.46300

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Artikelnummer
FDMD84100
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 100V 7A 8-PQFN
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual) Common Source
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
980pF @ 50V
Leistung max
2.1W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-PowerWDFN
Supplier Device Package
Power 3.3x5

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