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NVMFS5832NLT1G

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Artikelnummer
NVMFS5832NLT1G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$0.67386
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Artikelnummer
NVMFS5832NLT1G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
21A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
51nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2700pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.7W (Ta), 127W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / fall
8-PowerTDFN

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