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RFN1L6STE25

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Artikelnummer
RFN1L6STE25
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
RFN1L6STE25.pdf
Gesamt:$0.11826
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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$0.11826

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Artikelnummer
RFN1L6STE25
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS
Teilestatus
Not For New Designs
Diodentyp
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
800mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.45V @ 800mA
Geschwindigkeit
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
35ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
1µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F
-
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
DO-214AC, SMA
Supplier Device Package
PMDS
Betriebstemperatur - Übergang
150°C (Max)

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