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IPI029N06NAKSA1

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Artikelnummer
IPI029N06NAKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 24A TO262-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPI029N06NAKSA1.pdf
Gesamt:$2.11000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$2.11000

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Artikelnummer
IPI029N06NAKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 24A TO262-3
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
24A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.8V @ 75µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
56nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
4100pF @ 30V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3W (Ta), 136W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO262-3
Paket / fall
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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