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IPP120N04S302AKSA1

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Artikelnummer
IPP120N04S302AKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPP120N04S302AKSA1.pdf
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(In US-Dollar)
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$3.91000

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Artikelnummer
IPP120N04S302AKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
Teilestatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.3 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 230µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
210nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
14300pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-3-1
Paket / fall
TO-220-3

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