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SI8902EDB-T2-E1

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Artikelnummer
SI8902EDB-T2-E1
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SI8902EDB-T2-E1.pdf
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Artikelnummer
SI8902EDB-T2-E1
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
3.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 980µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
-
Leistung max
1W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
6-MICRO FOOT®CSP
Supplier Device Package
6-Micro Foot™ (2.36x1.56)

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