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SI7615CDN-T1-GE3

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Artikelnummer
SI7615CDN-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 35A POWERPAK1212
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SI7615CDN-T1-GE3.pdf
Gesamt:$0.20034
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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$0.20034

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Artikelnummer
SI7615CDN-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 35A POWERPAK1212
Teilestatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
63nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
3860pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
33W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® 1212-8
Paket / fall
PowerPAK® 1212-8

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