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GA20JT12-263

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Artikelnummer
GA20JT12-263
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
TRANS SJT 1200V 45A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
GA20JT12-263.pdf
Gesamt:$36.64000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$36.64000

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Artikelnummer
GA20JT12-263
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
TRANS SJT 1200V 45A
Teilestatus
Active
FET-Typ
-
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
45A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 20A
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
3091pF @ 800V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
282W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK (7-Lead)
Paket / fall
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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