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SI7117DN-T1-GE3

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Artikelnummer
SI7117DN-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SI7117DN-T1-GE3.pdf
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Artikelnummer
SI7117DN-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8
Teilestatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
150V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
2.17A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
510pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.2W (Ta), 12.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® 1212-8
Paket / fall
PowerPAK® 1212-8

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