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STB33N65M2

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Artikelnummer
STB33N65M2
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
STB33N65M2.pdf
Gesamt:$1.90300
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$1.90300

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Artikelnummer
STB33N65M2
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
24A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
140 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
41.5nC @ 10V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1790pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
190W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK
Paket / fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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