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RQK0607AQDQS#H1

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Artikelnummer
RQK0607AQDQS#H1
Hersteller
Renesas Electronics America
Beschreibung
MOSFET N-CH
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
RQK0607AQDQS#H1.pdf
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Artikelnummer
RQK0607AQDQS#H1
Hersteller
Renesas Electronics America
Beschreibung
MOSFET N-CH
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
2.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
270 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
2nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
170pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.5W (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
UPAK
Paket / fall
TO-243AA

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