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DMT68M8LSS-13

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Artikelnummer
DMT68M8LSS-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 60V 28.9A 8SO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMT68M8LSS-13.pdf
Gesamt:$0.24860
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Erfrischungspreis
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Artikelnummer
DMT68M8LSS-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 60V 28.9A 8SO
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
28.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.5 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
31.8nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2107pF @ 30V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.9W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
8-SO
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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