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DB105G

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Artikelnummer
DB105G
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DB105G.pdf
Gesamt:$0.21150
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(In US-Dollar)
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Artikelnummer
DB105G
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DB
Teilestatus
Active
Diodentyp
Single Phase
Technologie
Standard
Spannung - Peak Reverse (Max)
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.1V @ 1A
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
10µA @ 600V
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket / fall
4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Supplier Device Package
DB

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