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DMG7401SFGQ-13

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Artikelnummer
DMG7401SFGQ-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMG7401SFGQ-13.pdf
Gesamt:$0.29492
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Erfrischungspreis
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$0.29492

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Artikelnummer
DMG7401SFGQ-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333
Teilestatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
9.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 12A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
58nC @ 10V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2987pF @ 15V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
940mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerDI3333-8
Paket / fall
8-PowerWDFN

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