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IRLR4343-701PBF

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Artikelnummer
IRLR4343-701PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRLR4343-701PBF.pdf
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Artikelnummer
IRLR4343-701PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
26A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
740pF @ 50V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
79W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
I-PAK (LF701)
Paket / fall
TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)

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