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RRQ030P03TR

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Artikelnummer
RRQ030P03TR
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
RRQ030P03TR.pdf
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Artikelnummer
RRQ030P03TR
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Teilestatus
Not For New Designs
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
480pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
600mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
TSMT6 (SC-95)
Paket / fall
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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