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IPU50R1K4CEBKMA1

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Artikelnummer
IPU50R1K4CEBKMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPU50R1K4CEBKMA1.pdf
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(In US-Dollar)
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Artikelnummer
IPU50R1K4CEBKMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
3.1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 900mA, 13V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 70µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.2nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
178pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
25W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO251-3
Paket / fall
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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