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HGT1S12N60A4S9A

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Artikelnummer
HGT1S12N60A4S9A
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT 600V 54A 167W TO263AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
HGT1S12N60A4S9A.pdf
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Artikelnummer
HGT1S12N60A4S9A
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT 600V 54A 167W TO263AB
Teilestatus
Obsolete
IGBT-Typ
-
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)
600V
Stromabnehmer (Ic) (max.)
54A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)
96A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 12A
Leistung max
167W
Energie wechseln
55µJ (on), 50µJ (off)
Eingabetyp
Standard
Gate Charge
78nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C
17ns/96ns
Testbedingung
390V, 12A, 10 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
TO-263AB

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