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FDMS3660S-F121

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Artikelnummer
FDMS3660S-F121
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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(In US-Dollar)
1Stck
$0.00000

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Artikelnummer
FDMS3660S-F121
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
13A, 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.7V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1765pF @ 15V
Leistung max
1W
Betriebstemperatur
-
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
Power56

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