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IXTQ170N10P

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Artikelnummer
IXTQ170N10P
Hersteller
IXYS Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 170A TO-3P
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IXTQ170N10P.pdf
Gesamt:$6.86767
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$6.86767

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Artikelnummer
IXTQ170N10P
Hersteller
IXYS Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 170A TO-3P
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
170A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
198nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
6000pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
715W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-3P
Paket / fall
TO-3P-3, SC-65-3

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