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EPC2106ENGRT

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Artikelnummer
EPC2106ENGRT
Hersteller
EPC
Beschreibung
GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Artikelnummer
EPC2106ENGRT
Hersteller
EPC
Beschreibung
GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
1.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70 mOhm @ 2A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 600µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.73nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
75pF @ 50V
Leistung max
-
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
Die
Supplier Device Package
Die

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