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STP265N6F6AG

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Artikelnummer
STP265N6F6AG
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 180A TO220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
STP265N6F6AG.pdf
Gesamt:$3.59000
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(In US-Dollar)
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$3.59000

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Artikelnummer
STP265N6F6AG
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 180A TO220
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
180A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.85 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
183nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
11800pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220
Paket / fall
TO-220-3

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