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NDS8858H

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Artikelnummer
NDS8858H
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
NDS8858H.pdf
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$0.00000

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Artikelnummer
NDS8858H
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
6.3A, 4.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
720pF @ 15V
Leistung max
1W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SOIC

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