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TH58NYG3S0HBAI4

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Artikelnummer
TH58NYG3S0HBAI4
Hersteller
Toshiba Memory America, Inc.
Beschreibung
8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$9.59000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$9.59000

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Artikelnummer
TH58NYG3S0HBAI4
Hersteller
Toshiba Memory America, Inc.
Beschreibung
8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V
Teilestatus
Active
Speichertyp
Non-Volatile
Speicherformat
FLASH
Technologie
FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße
8Gb (1G x 8)
Taktfrequenz
-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
25ns
Zugriffszeit
25ns
Speicherschnittstelle
Parallel
Spannungsversorgung
1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur
-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
63-VFBGA
Supplier Device Package
63-TFBGA (9x11)

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