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APT10M09B2VFRG

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Artikelnummer
APT10M09B2VFRG
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
APT10M09B2VFRG.pdf
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Artikelnummer
APT10M09B2VFRG
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
350nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
9875pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
625W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
T-MAX™ [B2]
Paket / fall
TO-247-3 Variant

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