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IPW80R280P7XKSA1

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Artikelnummer
IPW80R280P7XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 17A TO247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPW80R280P7XKSA1.pdf
Gesamt:$3.88000
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(In US-Dollar)
1Stck
$3.88000

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Artikelnummer
IPW80R280P7XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 17A TO247
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
17A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
280 mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 360µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 500V
FET-Funktion
Super Junction
Verlustleistung (max.)
101W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO247-3-41
Paket / fall
TO-247-3

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