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HGTP2N120CN

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Artikelnummer
HGTP2N120CN
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT 1200V 13A 104W TO220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
HGTP2N120CN.pdf
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(In US-Dollar)
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Artikelnummer
HGTP2N120CN
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT 1200V 13A 104W TO220AB
Teilestatus
Obsolete
IGBT-Typ
NPT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.)
13A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)
20A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 2.6A
Leistung max
104W
Energie wechseln
96µJ (on), 355µJ (off)
Eingabetyp
Standard
Gate Charge
30nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C
25ns/205ns
Testbedingung
960V, 2.6A, 51 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket / fall
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220-3

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