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TSM7N65ACI C0G

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Artikelnummer
TSM7N65ACI C0G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 650V 7A ITO220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
TSM7N65ACI C0G.pdf
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Artikelnummer
TSM7N65ACI C0G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 650V 7A ITO220
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.45 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
27.8nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1406pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
40W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
ITO-220AB
Paket / fall
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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