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R6010ANX

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Artikelnummer
R6010ANX
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$3.33000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$3.33000

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Artikelnummer
R6010ANX
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM
Teilestatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
10A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
-
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
50W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220FM
Paket / fall
TO-220-3 Full Pack

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