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NTD6600N

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Artikelnummer
NTD6600N
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
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(In US-Dollar)
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Artikelnummer
NTD6600N
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
12A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
146 mOhm @ 6A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 5V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
700pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.28W (Ta), 56.6W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
DPAK
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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