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ZXM66N02N8TA

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Artikelnummer
ZXM66N02N8TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 9A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
ZXM66N02N8TA.pdf
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Artikelnummer
ZXM66N02N8TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 9A 8-SOIC
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15 mOhm @ 4.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
-
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
8-SO
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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